Advanced Characterization Methods

Fortgeschrittene Methoden der Raster- und Durchstrahlungselektronenmikroskopie (Lehrende: G. Eggeler, Ch. Somsen, Sprache: englisch, Semester: SS, Zeit: Freitag, 15.00 bis 18.00 Uhr, Aushänge beachten): Es werden zunächst wichtige Aspekte des kristallinen und amorphen Aufbaus der festen Materie wiederholt. Es folgt ein Überblick über die Wechselwirkung von Elektronenstrahlen mit Materie, wobei Sekundärelektronen, rückgestreute Elektronen, elastisch und inelastisch gestreute Elektronen sowie die Entstehung charakteristischer Röntgenstrahlung, die für die chemische Analyse wichtig sind, besprochen werden. Es werden die physikalischen Ursachen von Bildkontrasten im Raster- und im Durchstrahlungselektronenmikroskop besprochen. Besonderes Gewicht wird auf die Entstehung von Kikuchi-Linien (KL) gelegt. Im Falle der Rasterelektronenmikroskopie wird in diesem Zusammenhang das EBSD/OIM-Verfahren besprochen (Electron Back Scatter Diffraction, Orientation Imaging). Im Falle der Durchstrahlungselektronenmikroskopie wird vermittelt, wie man KL-Muster als kristallographische Landkarten benutzt, um Kristalle zu orientieren und um definierte Zweistrahlfälle einzustellen. Vor diesem Hintergrund werden stereographische 3D-Methoden im TEM besprochen. Theoretische Konzepte werden durch praktische Beispiele aus laufenden Forschungsprojekten ergänzt.
Forschen und Leben am Institut
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